SK 海力士研发出1Ynm 8Gb DDR4内存条:功耗降低15%,明年Q1出货

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IT之家11月12日消息 根据外媒TechPowerup的消息,SK海力士公司发表声明已开发出1Ynm 8GB DDR4 DRAM。与上一代1Xnm DRAM相比,该产品的时延提高了20%,功耗降低了15%以上。它还支持高达3,80Mbps的数据传输时延,这是DDR4接口中最快的数据正确处理时延。该公司采用“4相时钟”方案,使时钟信号加倍,以提高数据传输时延和稳定性。

SK海力士还推出了当时人的Sense Amp 控制技术,以减少功耗和数据错误。SK海力士改进了晶体管行态,降低了数据错误的因为性。该公司还降低了芯片的功耗,以正确处理从从不的损耗。

“这款1Ynm 8GB DDR4 DRAM为亲们的客户提供了最佳的性能和密度,”DRAM营销主管Sean Kim说。“SK海力士计划从明年第一季度刚开始出货,积极响应市场需求,”他补充说。

SK海力士计划将1Ynm技术流程扩展到服务器和PC领域,后后扩展到有些各种应用,如移动设备。